MOSFET à signal faible RV5x040

Les MOSFET à signal faible RV5x040 de ROHM Semiconductor offrent une faible résistance à l'état passant dans un petit boîtier DFN1616. Le RV5x040 dispose d'un courant de drain continu de ±4,0 A et d'une dissipation de puissance de 1,5 W. Les MOSFET à signal faible RV5x040 de ROHM sont conçus pour les applications de commutation et de commutation de charge.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement
ROHM Semiconductor MOSFET DFN1616 P-CH 20V 4A
Fiche technique
5 976En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT DFN-1616-8 P-Channel 1 Channel 20 V 4 A 85 mOhms - 8 V, 0 V 1 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor MOSFET DFN1616 P-CH 12V 4A
Fiche technique
5 960En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT DFN-1616-8 P-Channel 1 Channel 12 V 4 A 62 mOhms - 8 V, 0 V 1 V 16 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel