STGWA30M65DF2AG

IGBT de qualité automobile STGWA30M65DF2AG

L’IGBT de classe automobile STGWA30M65DF2AG STMicroelectronics est conçu à l’aide d’une structure d’arrêt de champ et grille en tranchée exclusive avancée. Le STGWA30M65DF2AG STMicroelectronics offre des performances système optimales et un équilibre de rendement pour les onduleurs, avec une faible perte et une fonctionnalité essentielle de court-circuit. Le composant est homologué AEC-Q101 et dispose d’une température de jonction maximale de +175 °C, d’un temps de tenue aux courts-circuits de 6 μs, d’une faible V_{CE (sat)} du 1,7 V à 30 A et d’une distribution étroite des paramètres. Le dispositif comprend également une diode antiparallèle à récupération rapide et douce et une faible résistance thermique. Il est disponible en boîtier TO-247 à fils longs.