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SQJQ410EL-T1_GE3

Name: Vishay SQJQ410EL-T1_GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SQJQ410EL-T1_GE3
Price: 3.45 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

78-SQJQ410EL-T1_GE3

N° de fab. :

SQJQ410EL-T1_GE3

Fab. :

Vishay / Siliconix

Description :

MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

Fiche technique:

SQJQ410EL-T1_GE3 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	3,45 €	3,45 €
	2,27 €	22,70 €
	1,60 €	160,00 €
	1,44 €	720,00 €
	1,36 €	1 360,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2000)
	1,36 €	2 720,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerPAK-8x8-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	135 A
Rds On - Résistance drain-source:	2.8 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.5 V
Qg - Charge de grille:	150 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	136 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Nom commercial:	TrenchFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Vishay / Siliconix
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	87 ns
Transconductance directe - min.:	84 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	40 ns
Série:	SQJQ
Nombre de pièces de l'usine:	2000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	69 ns
Délai d'activation standard:	19 ns
Poids de l''unité:	50 mg

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Fiche technique

SQJQ410EL-T1_GE3 Fiche technique

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Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

SQJQ410EL SQ Automotive Power MOSFET

Vishay / Siliconix SQJQ410EL SQ Automotive Power MOSFET is an AEC-Q101-qualified N-channel power MOSFET optimized for use in the automotive industry. Featuring ultra-low R_DS(ON) and TrenchFET® technology, this device is rated for a maximum junction temperature of 175°C. Vishay / Siliconix SQJQ410EL SQ Automotive Power MOSFET is offered in a compact, thermally enhanced PowerPAK^®8 x 8L package, which is 75% thinner and 55% smaller than the D²PAK package.

MOSFET automobiles SQJQ

Les MOSFET automobiles SQJQ Vishay/Siliconix sont des MOSFET de puissance TrenchFET^®à canal N. Ces MOSFET homologués AEC-Q101 sont testés 100 % Rg et commutation inductive desserrée (UIS). Les MOSFET automobiles SQJQ offrent une très faible R_{DS (on)} et fonctionnent dans une plage de température de -55 °C à +175 °C. Ces MOSFET de classe automobile sont disponibles en boîtier PowerPAK^® 8x8L entièrement sans plomb (Pb) avec des configurations simples/doubles. Les applications typiques incluent l’automobile, la gestion de moteur, les entraînements/actionneurs de moteur, les systèmes de carrosserie et la gestion de batterie.