STP65N150M9

STMicroelectronics
511-STP65N150M9
STP65N150M9

Fab. :

Description :
MOSFET N-channel 650 V, 128 mOhm typ., 20 A MDmesh M9 Power MOSFET
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STMicroelectronics
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
20 A
150 mOhms
- 30 V, 30 V
3.2 V
32 nC
- 55 C
+ 150 C
140 W
Enhancement
Tube
Marque: STMicroelectronics
Configuration: Single
Temps de descente: 10 ns
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 5 ns
Série: MDmesh M9
Nombre de pièces de l'usine: 1000
Sous-catégorie: Transistors
Délai de désactivation type: 40 ns
Délai d'activation standard: 12 ns
Poids de l''unité: 2 g
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Attributs sélectionnés: 0

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Codes de conformité
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Chine
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET de puissance M9 MDmesh™

Les MOSFET de puissance MDmesh™ M9 STMicroelectronics intègrent une structure de dispositif améliorée, une faible résistance à l'état passant et de faibles valeurs de charge de grille.  Ces MOSFET de puissance offrent une robustesse dv/dt élevée de diode inverse et de MOSFET, une haute densité de puissance et de faibles pertes par conduction. Les MOSFET de puissance MDmesh M9 offrent également une vitesse de commutation élevée, un haut rendement et de faibles pertes de puissance de commutation. Ces MOSFET de puissance sont conçus avec une technologie innovante de super-jonction à haute tension qui fournit un facteur de mérite (FoM) impressionnant. Le FoM élevé permet des niveaux de puissance et une densité plus élevés pour des solutions plus compactes. Les applications typiques comprennent les serveurs, les centres de données télécoms, les stations d'alimentation 5G, les microonduleurs et les chargeurs rapides.

MOSFET de puissance STP65N150M9

Le MOSFET de puissance STP65N150M9 de STMicroelectronics est basé sur la technologie MDmesh M9 à super-jonction. Le composant est adapté aux MOSFET à moyenne/haute tension disposant d'une RDS(on) très faible par zone. La technologie M9 à base de silicium bénéficie d'un processus de fabrication à drain multiple, permettant une structure de dispositif améliorée. Le produit qui en résulte dispose de l'une des valeurs de résistance à l'état passant et de charge de grille réduites parmi tous les MOSFET de puissance à super-jonction et commutation rapide à base de silicium. Cela le rend idéal pour les applications qui nécessitent une densité de puissance supérieure et un rendement exceptionnel.

Disponibilité

Stock:
0

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Sur commande:
497
07/05/2027 attendu
Délai usine :
24
Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
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Tarif est.:

Prix (EUR)

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Ext. Prix
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1,82 € 18,20 €
1,65 € 165,00 €
1,36 € 680,00 €
1,35 € 1 350,00 €
1,31 € 2 620,00 €
1,30 € 6 500,00 €

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