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STP65N150M9

Name: STMicroelectronics STP65N150M9
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP65N150M9
Price: 3.39 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STP65N150M9

N° de fab. :

STP65N150M9

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-channel 650 V, 128 mOhm typ., 20 A MDmesh M9 Power MOSFET

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Fiche technique:

STP65N150M9 Fiche technique (PDF)

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	3,39 €	3,39 €
	2,22 €	22,20 €
	1,63 €	163,00 €
	1,44 €	720,00 €
	1,24 €	1 240,00 €
	1,17 €	2 340,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	20 A
Rds On - Résistance drain-source:	150 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.2 V
Qg - Charge de grille:	32 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	140 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	10 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	5 ns
Série:	MDmesh M9
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	40 ns
Délai d'activation standard:	12 ns
Poids de l''unité:	2 g

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Fiche technique

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Super-junction Power MOSFETs for best efficiency (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance M9 MDmesh™

Les MOSFET de puissance MDmesh™ M9 STMicroelectronics intègrent une structure de dispositif améliorée, une faible résistance à l'état passant et de faibles valeurs de charge de grille. Ces MOSFET de puissance offrent une robustesse dv/dt élevée de diode inverse et de MOSFET, une haute densité de puissance et de faibles pertes par conduction. Les MOSFET de puissance MDmesh M9 offrent également une vitesse de commutation élevée, un haut rendement et de faibles pertes de puissance de commutation. Ces MOSFET de puissance sont conçus avec une technologie innovante de super-jonction à haute tension qui fournit un facteur de mérite (FoM) impressionnant. Le FoM élevé permet des niveaux de puissance et une densité plus élevés pour des solutions plus compactes. Les applications typiques comprennent les serveurs, les centres de données télécoms, les stations d'alimentation 5G, les microonduleurs et les chargeurs rapides.

MOSFET de puissance STP65N150M9

Le MOSFET de puissance STP65N150M9 de STMicroelectronics est basé sur la technologie MDmesh M9 à super-jonction. Le composant est adapté aux MOSFET à moyenne/haute tension disposant d'une R_DS(on) très faible par zone. La technologie M9 à base de silicium bénéficie d'un processus de fabrication à drain multiple, permettant une structure de dispositif améliorée. Le produit qui en résulte dispose de l'une des valeurs de résistance à l'état passant et de charge de grille réduites parmi tous les MOSFET de puissance à super-jonction et commutation rapide à base de silicium. Cela le rend idéal pour les applications qui nécessitent une densité de puissance supérieure et un rendement exceptionnel.