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NTMFSS0D9N03P8

Name: onsemi NTMFSS0D9N03P8
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFSS0D9N03P8
Price: 2.39 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NTMFSS0D9N03P8

N° de fab. :

NTMFSS0D9N03P8

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET 30V PT8 IN 5X6 SOURCE DOWN PACKAGE

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

NTMFSS0D9N03P8 Fiche technique

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TDFN-9
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	294 A
Rds On - Résistance drain-source:	1 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	127 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	125 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	PH
Temps de descente:	49.5 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	19.3 ns
Série:	NTMFSS0D9N03P8
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	125.4 ns
Délai d'activation standard:	20.4 ns

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Fiche technique

NTMFSS0D9N03P8 Fiche technique

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET à canal N NTMFSS0D9N03P8

Le MOSFET à canal N NTMFSS0D9N03P8 d'Onsemi est un MOSFET à source unique qui présente une faible résistance R_DS(on) pour minimiser les pertes de conduction et une faible capacité Q_G pour minimiser les pertes du pilote. Ce MOSFET à canal N fonctionne à une tension drain-source de 30 V (V_DS), une tension grille-source de ±20 V (V_GS) et un courant drain de 294 A. Le MOSFET NTMFSS0D9N03P8 est proposé dans un boîtier 5 mm x 6 mm avec une conception à source vers le bas et grille centrale afin d'améliorer la densité de puissance, le rendement et les performances thermiques. Ce MOSFET à canal N est sans Pb, sans halogène/sans BFR et conforme à la directive RoHS. Le MOSFET NTMFSS0D9N03P8 est idéal pour les ORing, les entraînements de moteur, les commutateurs de charge d'alimentation et les convertisseurs CC/CC.