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RH7P04BBKFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RH7P04BBKFRATCB
Price: 2.07 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-RH7P04BBKFRATCB

N° de fab. :

RH7P04BBKFRATCB

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET DFN8 N CHAN 100V

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

RH7P04BBKFRATCB Fiche technique

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-,-- €

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	2,07 €	2,07 €
	1,33 €	13,30 €
	0,912 €	91,20 €
	0,725 €	362,50 €
	0,674 €	674,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,603 €	1 809,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	40 A
Rds On - Résistance drain-source:	13.8 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	19.8 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	75 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Temps de descente:	12 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	19 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	50 ns
Délai d'activation standard:	14 ns

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance de canal N RH7P04BBKFRA 100 V

Le MOSFET de puissance canal N 100 V RH7P04BBKFRA de ROHM Semiconductor est un MOSFET de qualité automobile avec une tension de source de drain (V_DSS) de 100 V et un courant de drain continu (I_D) de ±40 A, et est certifié AEC-Q101. La résistance à l’état passant drain-source [R_DS(ON)] est de 13,8 mΩ (max.) (V_GS = 10 V, I_D = 20 A) et est fournie dans un boîtier DFN-8 de 3,3 mm x 3,3 mm (DFN3333T8LSAB). Le MOSFET RH7P04BBKFRA de ROHM Semiconductor est idéal pour systèmes d’aide à la conduite automobile (système d’aide à la conduite (ADAS)), les applications d’information, d’éclairage et de carrosserie.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.