Module SiC NXH020P120MNF1

Le module SIC NXH020P120MNF1 d’onsemi  contient un demi-pont MOSFET SIC 20Mohm 1200 V et une thermistance NTC dans un module F1. Le module dispose d’une tension de grille recommandée de 18 V à 20 V. Le NXH020P120MNF1 dispose d’un RDS (ON) amélioré à une tension plus élevée et d’une faible résistance thermique.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Série
Conditionnement

onsemi Modules MOSFET SiC Module, 2-PACK Half Bridge Topology, 1200 V, 20 mohm SiC M1 MOSFET
Fiche technique
28En stock
Min. : 1
Mult. : 1
SiC Press Fit Module N-Channel 1.2 kV 51 A 30 mOhms - 15 V, + 25 V 1.8 V - 40 C + 150 C 211 W NXH020P120MNF1 Tray

onsemi Modules MOSFET SiC Module, 2-PACK Half Bridge Topology, 1200 V, 20 mohm SiC M1 MOSFET with TIM
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 17 Semaines
Min. : 28
Mult. : 28

SiC Press Fit - 15 V, + 25 V - 40 C + 150 C NXH020P120MNF1 Tray