MOSFET SuperFET® V

Les MOSFET SuperFET® V onsemi sont des MOSFET haute tension à Super-jonction (SJ) de cinquième génération. Ces dispositifs offrent le meilleur facteur de mérite (FOM) de leur catégorie (RDS(ON)·QG et RDS(ON)·E OSS), pour améliorer le rendement non seulement sous charge lourde mais aussi sous charge légère. Les MOSFET SuperFET V 600 V offrent des avantages de conception grâce à des pertes réduites de conduction et de commutation tout en permettant des valeurs nominales extrêmes dVDS/dt de MOSFET à 120 V/ns. La série de MOSFET SuperFET V rapide aide à maximiser le rendement du système et la densité de puissance. La gamme de MOSFET SuperFET V à entraînement facile combine d'excellentes performances de commutation sans pour autant négliger la facilité d'utilisation pour les topologies de commutation dure et progressive. Les applications standard comprennent les télécommunications, le système cloud et l'industrie.

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Conditionnement

onsemi MOSFET SUPERFET5 EASY 99MOHM T 327En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 33 A 99 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 48 nC - 55 C + 150 C 184 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET SF5 600V EASY ZENER 280MO 2 351En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 280 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 17.9 nC - 55 C + 170 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape

onsemi MOSFET SUPERFET5 EASY 120MOHM 783En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 28 A 120 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement Tube

onsemi MOSFET SUPERFET5 FAST 41MOHM T 527En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 57 A 41 mOhms - 30 V, 30 V 4.3 V 108 nC - 55 C + 150 C 329 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET SF5 600V FAST 61MOHM FOR
3 00012/06/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT TDFN-4 N-Channel 1 Channel 600 V 41 A 61 mOhms 30 V 4.3 V 73.6 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape