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FDT4N50NZU

Name: onsemi FDT4N50NZU
Brand: onsemi
SKU: 863-FDT4N50NZU
Price: 1.63 EUR
Availability: InStock

N° Mouser :

863-FDT4N50NZU

N° de fab. :

FDT4N50NZU

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET UNIFET II 3OHM SOT223

Fiche technique:

FDT4N50NZU Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,63 €	1,63 €
	1,02 €	10,20 €
	0,70 €	70,00 €
	0,555 €	277,50 €
	0,513 €	513,00 €
	0,48 €	960,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 4000)
	0,48 €	1 920,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	500 V
Id - Courant continu de fuite:	2 A
Rds On - Résistance drain-source:	3 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5.5 V
Qg - Charge de grille:	9.1 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	2 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	MY
Type de produit:	MOSFETs
Série:	FDT4N50NZU
Nombre de pièces de l'usine:	4000
Sous-catégorie:	Transistors

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Fiche technique

FDT4N50NZU Fiche technique

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET UniFET II FDT4N50NZU

Le MOSFET UniFET II FDT4N50NZU onsemi est un MOSFET haute tension basé sur une technologie avancée à bande planaire et DMOS. Le MOSFET a une faible résistance à l'état passant parmi les MOSFET planaires. Il fournit des performances de commutation supérieures et une meilleure résistance à l'énergie d'avalanche. Une diode ESD grille-source interne permet au MOSFET UniFET II de résister à une surtension de plus de 2 kV HBM.