MOSFET de puissance série SIHx17N80AEF

Les MOSFET de puissance série SIHx17N80AEF Vishay/Siliconix offrent un faible facteur de mérite et une faible capacité efficace. Les MOSFET SIHx17N80AEF ont des pertes de commutation et de conduction réduites. Les MOSFET de puissance série SIHx17N80AEF Vishay/Siliconix disposent d'une tension drain-source de 850 V et sont idéaux pour les alimentations de serveurs et de télécommunications, l'éclairage et les applications industrielles.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 800V 15A N-CH MOSFET
Fiche technique
1 717En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 15 A 305 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 42 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO247 800V 15A N-CH MOSFET
Fiche technique
N/A
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 800 V 15 A 305 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 42 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Tube