MOSFET de puissance à canal N NTMFS5H663NL

Le MOSFET de puissance à canal N NTMFS5H663NL onsemi offre un basse R_DS(on), un Q_G bas et une faible capacité dans un design compact 5 mm x 6 mm. Ce MOSFET de puissance dispose d’une tension drain-source de 60 V, d’une tension grille-source de ±20 V, d’un courant de drain pulsé de 327 A et d’une plage de température de jonction et de stockage en fonctionnement de -55 °C à +150 ° C. Le MOSFET de puissance à canal N NTMFS5H663NL est sans plomb et conforme à la directive RoHS. Les applications standard incluent le redressement synchrone, les alimentations, les entraînements de moteurs et les commutateurs de commande de moteur.