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SI3129DV-T1-GE3

Name: Vishay SI3129DV-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SI3129DV-T1-GE3
Price: 0.9 EUR
Availability: InStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

78-SI3129DV-T1-GE3

N° de fab. :

SI3129DV-T1-GE3

Fab. :

Vishay / Siliconix

Description :

MOSFET TSOP6 P-CH 80V 3.8A

Fiche technique:

SI3129DV-T1-GE3 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,903 €	0,90 €
	0,567 €	5,67 €
	0,371 €	37,10 €
	0,286 €	143,00 €
	0,259 €	259,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,22 €	660,00 €
	0,204 €	1 224,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TSOP-6
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	80 V
Id - Courant continu de fuite:	5.4 A
Rds On - Résistance drain-source:	82.7 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	12 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	4.2 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	TrenchFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Vishay / Siliconix
Configuration:	Single
Temps de descente:	12 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	8 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	TrenchFET Power MOSFET
Délai de désactivation type:	25 ns
Délai d'activation standard:	15 ns
Poids de l''unité:	20 mg

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Fiche technique

SI3129DV-T1-GE3 Fiche technique

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
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MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET 80 V à canal P (D-S) Si3129DV

Le MOSFET 80 V à canal P (D-S) Si3129DV Vishay/Siliconix est testé 100% R_g dans un seul boîtier TSOP-6. Le MOSFET Si3129DV offre une tension grille-source de ±20 V et une plage de température de jonction en fonctionnement de -55°C à +150°C. Le MOSFET 80 V à canal P Si3129DV Vishay/Siliconix est conçu pour la gestion d'alimentation pour les applications portables et grand public.