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AFV10700GSR5

Name: NXP AFV10700GSR5
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 771-AFV10700GSR5
Price: 691.65 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

771-AFV10700GSR5

N° de fab. :

AFV10700GSR5

Fab. :

NXP Semiconductors

Description :

Transistors MOSFET RF Airfast RF Power LDMOS Transistor, 700 W Pulse over 960-1215 MHz, 52 V

Fiche technique:

AFV10700GSR5 Fiche technique (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	NXP
Catégorie du produit:	Transistors MOSFET RF
RoHS:
Polarité du transistor:	N-Channel
Technologie:	Si
Id - Courant continu de fuite:	2.6 A
Vds - Tension de rupture drain-source:	105 V
Fréquence de fonctionnement:	1.03 GHz to 1.09 GHz
Gain:	19.2 dB
Alimentation en sortie:	700 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	NI-780GS-4L
Conditionnement:	Reel
Marque:	NXP Semiconductors
Nombre de canaux:	2 Channel
Pd - Dissipation d’énergie :	526 W
Type de produit:	RF MOSFET Transistors
Série:	AFV10700
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	MOSFETs
Type:	RF Power MOSFET
Vgs - Tension grille-source:	+ 10 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.3 V
Raccourcis pour l'article N°:	935362013178

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Fiche technique

AFV10700GSR5 Fiche technique (PDF)

PCN

Declaration of Compliance - RoHS Declaration (PDF)

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

AFV10700H RF Power LDMOS Transistor

NXP Semiconductors AFV10700H RF Power LDMOS Transistor is designed for pulse applications operating at 1030MHz to 1090MHz. This LDMOS Transistor can also be used over the 960MHz to 1215MHz band at reduced power. This device is suitable for use in defense and commercial pulse applications with large duty cycles and long pulses, such as IFF, secondary surveillance radars, ADS-B transponders, DME, and other complex pulse chains.