Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Retourner aux résultats de la recherche

Vous voyez une erreur ?

RH7L03BBKFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RH7L03BBKFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RH7L03BBKFRATCB
Price: 1.49 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

755-RH7L03BBKFRATCB

N° de fab. :

RH7L03BBKFRATCB

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET DFN8 N CHAN 40V

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

RH7L03BBKFRATCB Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de ROHM Semiconductor RH7L03BBKFRATCB

En stock: 2 700

Stock:: 2 700 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 16 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,49 €	1,49 €
	0,955 €	9,55 €
	0,636 €	63,60 €
	0,501 €	250,50 €
	0,458 €	458,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,424 €	1 272,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	35 A
Rds On - Résistance drain-source:	26.4 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	33 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	SIngle
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	JP
Temps de descente:	4.7 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	7 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	23 ns
Délai d'activation standard:	9.4 ns

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

RH7L03BBKFRATCB Fiche technique

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance 60 V à canal N RH7L03

Le MOSFET de puissance 60 V à canal N RH7L03 de ROHM Semiconductor est un MOSFET de qualité automobile avec une tension de drain-source (V_DSS) de 60 V et un courant de drain continu (I_D) de ±35 A, conforme à la norme AEC-Q101. Ce MOSFET a une résistance à l'état passant drain-source [R_DS(ON)] de 26,4 mΩ (max.) à V_GS = 10 V, I_D = 20 A, et est livré dans un boîtier DFN-8 de 3,3 mm x 3,3 mm (DFN3333T8LSAB). Le MOSFET RH7L03 de ROHM Semiconductor est idéal pour les applications de systèmes d'aide à la conduite automobile (ADAS), d'information, d'éclairage et de carrosserie.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.