MOSFET de puissance R8002ANJ, R8005ANJ et R8008ANJ

Les MOSFET de puissance R8002ANJ, R8005ANJ et R8008ANJ de ROHM Semiconductor disposent d'une faible résistance à l'état passant et d'une commutation rapide. Les MOSFET sont adaptés aux applications de commutation. Ces composants disposent d'une faible résistance à l'état passant, d'une vitesse de commutation rapide et d'une tension grille-source (VGSS) garantie à ±30 V.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement
ROHM Semiconductor MOSFET TO263 800V 5A N-CH MOSFET
Fiche technique
1 986En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 800 V 5 A 2.1 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 20 nC - 55 C + 150 C 120 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET TO263 800V 2A N-CH MOSFET
Fiche technique
1 919En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 000

Si SMD/SMT TO-263S-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2 A 4.3 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 13 nC - 55 C + 150 C 62 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET TO263 800V 8A N-CH MOSFET
Fiche technique
826En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 000

Si SMD/SMT TO-263S-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 1.03 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 38 nC - 55 C + 150 C 195 W Enhancement Reel, Cut Tape