IGBTs en tranchée et à arrêt de champ RGE

Les IGBTs en tranchée et à arrêt de champ RGE de ROHM Semiconductor  présentent une faible tension de saturation collecteur-émetteur, de faibles pertes de commutation et un temps de tenue aux courts-circuits de 5μs. Les IGBTs RGE de  ROHM Semiconductor  assurent une exploitation fiable dans des conditions de stress élevé. La FRD de récupération rapide et progressive intégrée améliore l'efficacité et le placage sans plomb assure la conformité à la directive RoHS. Idéale pour les convertisseurs généraux, les systèmes d'alimentation électrique sans coupure  (ASI), les conditionneurs de puissance et les appareils de soudure, la série RGE fournit une solution robuste qui répond aux besoins de lagestion d'alimentation moderne.