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SI7454FDP-T1-RE3

Name: Vishay SI7454FDP-T1-RE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SI7454FDP-T1-RE3
Price: 1.16 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

78-SI7454FDP-T1-RE3

N° de fab. :

SI7454FDP-T1-RE3

Fab. :

Vishay / Siliconix

Description :

MOSFET SOT669 100V 23.5A N-CH MOSFET

Fiche technique:

SI7454FDP-T1-RE3 Fiche technique

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-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,16 €	1,16 €
	0,74 €	7,40 €
	0,452 €	45,20 €
	0,366 €	183,00 €
	0,338 €	338,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,302 €	906,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerPAK-SO-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	23.5 A
Rds On - Résistance drain-source:	29.5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.4 V
Qg - Charge de grille:	17.4 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	39 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	TrenchFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Vishay / Siliconix
Configuration:	Single
Temps de descente:	4 ns
Transconductance directe - min.:	33 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	5 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	19 ns
Délai d'activation standard:	9 ns

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SI7454FDP-T1-RE3 Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET Si74

Les MOSFET Si74 de Vishay disposent de la technologie TrenchFET® qui réduit la résistance à l’état passant, assurant fiabilité et performances dans une plage de 30 à 250 V. Les MOSFET à canal N et P sont sans halogène selon la définition de la norme CEI 61249-2-21. Logés dans le boîtier PowerPAK®, ces MOSFET apportent une faible résistance thermique, une taille compacte et un profil mince de 1,07 mm, ce qui les rend idéaux pour les applications où l’espace et la gestion thermique sont essentiels.

MOSFET à canal N de gén. IV TrenchFET

Les MOSFET à canal N TrenchFET® gén. IV Vishay Siliconix sont la famille TrenchFET® de dernière génération de MOSFET de puissance canal N de Vishay. Ces nouveaux dispositifs utilisent une nouvelle conception à haute densité et les SiRA00DP, SiRA02DP, SiRA04DP et SiSA04DN procurent une faible résistance à l'état passant pouvant descendre à 1,35 mΩ à 4,5 V et une charge de grille totale réduite dans les boîtiers PowerPAK® SO-8 et 1212-8. Les caractéristiques comprennent une R_DS(on) extrêmement basse, qui se traduit par des pertes par conduction moindres pour une consommation électrique réduite, un rapport Q_dg/Q_gs très bas de 0,5 ou moins, des boîtiers à encombrement réduit PowerPAK® 1212-8 avec une efficacité similaire dans une taille divisée par 3. Les applications standard comprennent les convertisseurs CC/CC à haute puissance, la rectification synchrone, les convertisseurs Buck synchrones et OU.
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MOSFET Si7454FDP 100 V à canal N

Le MOSFET 100 V à canal N Si7454FDP de Vishay / Siliconix est un MOSFET de puissance TrenchFET® Gen IV avec une figure de mérite (FOM) RDS x Qg très basse. Le Si7454FDP dispose d’un I_D de 23,5 A et d’un Q_g de 8 nC. Le MOSFET Si7454FDP de Vishay / Siliconix est logé dans un boîtier PowerPAK^® SO-8 et a une plage de température de jonction et de stockage spécifiée de -55 °C à +150 °C.