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STGWA30M65DF2

Name: STMicroelectronics STGWA30M65DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA30M65DF2
Price: 1.03 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

511-STGWA30M65DF2

N° de fab. :

STGWA30M65DF2

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss in a TO-247 long leads

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Fiche technique:

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Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Série:	STGWA30M65DF2
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	600
Sous-catégorie:	IGBTs
Poids de l''unité:	2 g

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Fiche technique

STGWA30M65DF2 Fiche technique (PDF)

PCN

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
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MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

IGBT V Series

STMicroelectronics 600V trench-gate field-stop very high-speed IGBT V series features the industry's lowest Eoff. Combined with a saturation voltage as low as 1.8V and a maximum operating junction temperature of 175°C, they enable increased system efficiency, higher switching frequencies (up to 120kHz), and simplified thermal and EMI design.