MOSFET à mode d’amélioration à double canal HP8K/HT8K

Les MOSFET à mode d’amélioration à double canal HP8K/HT8K ROHM Semiconductor offrent une polarité de transistor à canal N ou N/P double. Les MOSFET HP8K et HT8K sont disponibles en petits boîtiers doubles à montage en surface HSMT8 et HSO8 dissipateurs de chaleur à l’arrière qui fournissent de faibles résistances en marche et des économies d’énergie. Les applications comprennent les entraînements de moteurs brushless monophasés/triphasés ou les opérations de commutation.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement
ROHM Semiconductor MOSFET HSMT8 2NCH 40V 8A
Fiche technique
2 900En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 2 Channel 40 V 15 A 17.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 10.6 nC - 55 C + 150 C 14 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET HSMT8 100V 12.5A N CHAN
Fiche technique
2 975En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 2 Channel 100 V 12.5 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 6.3 nC - 55 C + 150 C 14 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET 40V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KB6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
Fiche technique
5 000En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 2 Channel 40 V 24 A 15.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 21 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET 40V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KB7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
Fiche technique
4 969En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 2 Channel 40 V 24 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET 60V 23A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KC6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
Fiche technique
4 780En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 2 Channel 60 V 23 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 7.6 nC - 55 C + 150 C 21 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET 60V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KC7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
Fiche technique
4 966En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 2 Channel 60 V 24 A 11.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET 100V 17A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
Fiche technique
4 883En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 2 Channel 100 V 17 A 54 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 6.7 nC - 55 C + 150 C 21 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor MOSFET 100V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
Fiche technique
4 740En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 2 Channel 100 V 24 A 19.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 19.8 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET 40V 16.5A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8MB5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
Fiche technique
4 945En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 60 V 16.5 A, 18 A 46 mOhms, 44 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 3.5 nC, 17.2 nC - 55 C + 150 C 20 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET 60V 12A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8MC5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
Fiche technique
4 796En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 60 V 12 A 90 mOhms, 96 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 3.1 nC, 17.3 nC - 55 C + 150 C 20 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET 100V 8.5A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8ME5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
Fiche technique
10 423En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 100 V 8.5 A, 8 A 193 mOhms, 273 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 2.9 nC, 19.7 nC - 55 C + 150 C 20 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET 40V 12A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KB5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
Fiche technique
9 000En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 2 Channel 40 V 12 A 47 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 13 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET 60V 10A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KC5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
Fiche technique
6 782En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 2 Channel 60 V 10 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 3.1 nC - 55 C + 150 C 13 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET 60V 15A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KC6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
Fiche technique
3 755En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 2 Channel 60 V 15 A 29 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 7.6 nC - 55 C + 150 C 14 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET 100V 7A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KE5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
Fiche technique
5 978En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 2 Channel 100 V 7 A 193 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 2.9 nC - 55 C + 150 C 13 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET 100V 13A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
Fiche technique
225En stock
6 00021/05/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 2 Channel 100 V 13 A 57 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 6.7 nC - 55 C + 150 C 14 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel