Si88xx 8V TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay Siliconix Si88xx 8V TrenchFET® Power MOSFETs feature the industry's first n- and p-channel power MOSFET in the industry's smallest 0.8 mm by 0.8 mm chip-scale package, in addition to the first n- and p-channel devices to offer on-resistance (RDS(on)) ratings down to 1.2 V in this package size. The Si88xx 8V TrenchFET® Power MOSFETs come in the MICRO FOOT® package that occupies up to 36 % less board space than the next smallest chip-scale devices, yet offer comparable − and even lower − on-resistance (RDS(on)).

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement
Vishay Semiconductors MOSFET -20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT
Fiche technique
2 306En stock
15 000Sur commande
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT MicroFoot-4 P-Channel 1 Channel 20 V 2.7 A 77 mOhms - 8 V, 8 V 800 mV 17 nC - 55 C + 150 C 900 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET 8V Vds 5V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
Fiche technique
6 000En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT MicroFoot-4 N-Channel 1 Channel 8 V 3.5 A 54 mOhms - 5 V, 5 V 350 mV 4.3 nC - 55 C + 150 C 900 mW Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel