MJD44H11A & MJD45H11A 80V 8A Bipolar Transistors

Nexperia MJD44H11A and MJD45H11A 80V 8A Bipolar Transistors offer high thermal power dissipation in a power DPAK, TO-252 (SOT428C) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. These devices provide high energy efficiency due to low heat generation and feature low collector-emitter saturation voltage. The MJD44H11A and MJD45H11A are ideal for various applications, including linear voltage regulators, power management, and constant current drive backlighting.

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Configuration Courant CC max. du collecteur Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max. Émetteur - Tension de base VEBO Tension de saturation collecteur-émetteur Pd - Dissipation d’énergie Produit gain-bande passante fT Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Conditionnement
Nexperia Transistors bipolaires - BJT SOT428 80V 8A NPN HI PWR BJT 54En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 15 000
Bobine: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) NPN Single 8 A 80 V 6 V 1 V 20 W 160 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistors bipolaires - BJT SOT428 80V 8A NPN HI PWR BJT 155En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 155
Bobine: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) NPN Single 8 A 80 V 6 V 1 V 20 W 160 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistors bipolaires - BJT SOT428 80V 8A PNP HI PWR BJT 1 632En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 1 632
Bobine: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) PNP Single 8 A 80 V 6 V 1 V 20 W 80 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel