IGBT à arrêt de champ et grille en tranchée AFGHL75T65SQDx

Les IGBT à arrêt de champ et en tranchée AFGHL75T65SQDx Onsemi utilisent une technologie IGBT à haut débit et à arrêt de champ de 4ème génération. Les IGBT à arrêt de champ et en tranchée AFGHL75T65SQDx Onsemi affichent des performances optimales pour la topologie à commutation souple et dure dans les applications automobiles. Les IGBTs se caractérisent par une distribution étroite des paramètres, unecommutation rapide et très faible, et des pertes de conduction réduites. Les applications typiques comprennent la correction du facteur de puissance (PFC), la commutation dure, lesconvertisseurs CC-CC, les chargeurs pour véhicules hybrides/électriques (xEV) embarqués et débarqués et les convertisseurs industriels.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Package/Boîte
Style de montage
Configuration
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Tension de saturation collecteur-émetteur
Tension de l'émetteur de porte max.
Courant collecteur continu de 25 C
Pd - Dissipation d’énergie
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Série
Qualification
Conditionnement

onsemi IGBTs 650V/75A FS4 IGBT
Fiche technique
391En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C AFGHL75T65SQD AEC-Q101 Tube

onsemi IGBTs 650V/75A FS4 IGBT
Fiche technique
361En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C AFGHL75T65SQDT AEC-Q101 Tube