MOSFET à canal N NTBGSxDxN15MC et NVBGSxDxN15MC

Les MOSFET NTBGSxDxN15MC et NVBGSxDxN15MC à canal N onsemi affichent une tension drain-source (V(BR) DSS) de 150 V et produisent de faibles bruits de commutation/EMI. Ces dispositifs offrent une QG et une capacité faibles pour minimiser les pertes pilote et une faible RDS(on) pour minimiser les pertes de conduction. Les MOSFET NTBGSxDxN15MC et NVBGSxDxN15MC sont disponibles en boîtier D2PAK7, sans Pb, sans halogène/sans RFB, et conforme à la directive RoHS. Les applications typiques comprennent les outils électriques, les aspirateurs alimentés par batterie, les véhicules aériens sans pilote(UAV)/drones, la manipulation des matériaux, les systèmes de gestion de batterie (BMS)/stockage, la domotique, les chariots élévateurs industriels et les systèmes de contrôle de traction.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement
onsemi MOSFET Power MOSFET, 150 V, 6.5 mohm, A, Single N-Channel, D2PAK7
Fiche technique
1 229En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 800

Si SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 150 V 121 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 57 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET Power MOSFET, 150 V, 4.1 mohm, 185A, Single N-Channel, D2PAK7
Fiche technique
1 441En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 800

Si SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 150 V 185 A 4.1 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 88.9 nC - 55 C + 175 C 316 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel