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DMN3012LEG-7

Name: Diodes Incorporated DMN3012LEG-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMN3012LEG-7
Price: 1.89 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

621-DMN3012LEG-7

N° de fab. :

DMN3012LEG-7

Fab. :

Diodes Incorporated

Description :

MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V

Fiche technique:

DMN3012LEG-7 Fiche technique (PDF)

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Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)

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MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,89 €	1,89 €
	1,21 €	12,10 €
	0,836 €	83,60 €
	0,709 €	354,50 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)
	0,563 €	563,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Diodes Incorporated
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerDI3333-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	20 A, 10 A
Rds On - Résistance drain-source:	12 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.1 V
Qg - Charge de grille:	6.1 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	2.2 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Diodes Incorporated
Configuration:	Dual
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	2.3 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	2.7 ns
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	2 N-Channel
Délai de désactivation type:	6.4 ns
Délai d'activation standard:	5.1 ns
Poids de l''unité:	30 mg

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Fiche technique

DMN3012LEG-7 Fiche technique (PDF)

PCN

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET DMN3012LEG

Le MOSFET DMN3012LEG de Diodes Incorporated est un MOSFET synchrone à mode amélioré du canal N de 30 V avec une faible résistance à l'état passant et une vitesse de commutation rapide. Ce MOSFET conforme à la directive RoHS offre une faible capacité d’entrée et une fiabilité améliorée avec un commutateur inductif non verrouillé (UIS) robuste testé à 100 % en production. Le MOSFET DMN3012LEG dispose d’une conception MOS à diffusion latérale (LDMOS) qui réduit les pertes de puissance et est optimisé pour une haute densité de puissance, un haut rendement et une capacité de haute fréquence. Ce MOSFET est idéal pour les convertisseurs CC-CC et les applications de gestion d’alimentation à haut rendement.

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.