IGBT à tranchée XPT™ GenX5™
Les IGBT à tranchée XPT™ GenX5™ d'IXYS sont développés à l'aide de la technologie propriétaire XPT à couche mince et du processus de pointe d'IGBT à tranchée de 5e génération (GenX5). Ces composants disposent d'une résistance thermique réduite, de faibles pertes d'énergie, d'une commutation rapide, d'un faible courant de queue et de densités de courant élevées. Les IGBT à tranchée XPT GenX5 disposent de zones de fonctionnement sécurisées à polarisation inversée (RBSOA) carrées et d'une tension de claquage de 650 V, ce qui les rend idéaux pour les applications de commutation dure sans limiteur. Ces IGBT comprennent également un coefficient de température de tension collecteur-émetteur positif, permettant aux concepteurs d'utiliser plusieurs dispositifs en parallèle pour répondre aux exigences de courant élevé. La faible charge de grille de ces composants aide à réduire les exigences de commande de grille et les pertes de commutation.
