MOSFET à canal N au silicium UMOS9-H

Les MOSFET à canal N en silicium UMOS9-H de Toshiba sont idéaux pour les convertisseurs CC-CC à haut rendement, les régulateurs de tension à découpage, les pilotes de moteur  . Ces MOSFET disposent d’une petite charge de grille, d’une petite charge de sortie, d’une faible résistance drain-source à l’état passant et d’un faible courant de fuite. Les MOSFET à canal N UMOS9-H disposent d’une tension drain-source 80 V, d’une tension grille-source ±20 V et d’une température de canal de 175°C. Ces MOSFET disposent également d’un courant de fuite de grille de ±0,1µA, d’un courant de coupure de drain de 10µA et d’une plage de température de stockage de  -55°C à 175°C. Les MOSFET à canal N UMOS9-H sont conformes à la directive RoHS et sont fournis en boîtier 0,108 g 2-5W1A (SOP Advance (N)).