NVHL025N65S3

onsemi
863-NVHL025N65S3
NVHL025N65S3

Fab. :

Description :
MOSFET SUPERFET3 650V

Modèle de ECAO:
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onsemi
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
75 A
25 mOhms
- 30 V, 30 V
2.5 V
236 nC
- 55 C
+ 150 C
595 W
Enhancement
AEC-Q101
SuperFET
Tube
Marque: onsemi
Configuration: Single
Temps de descente: 107 ns
Transconductance directe - min.: 78.5 S
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 109 ns
Série: SPM3
Nombre de pièces de l'usine: 450
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 120 ns
Délai d'activation standard: 43.3 ns
Poids de l''unité: 6 g
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

NVHL025N65S3 N-Channel SUPERFET® III

onsemi NVHL025N65S3 N-Channel SUPERFET® III is an easy-drive, high-voltage Super-Junction (SJ) MOSFET that utilizes charge balance technology. This SUPERFET provides outstanding low ON-resistance and low gate charge performance. The NVHL025N65S3 SUPERFET minimizes conduction loss, offers good switching performance, and withstands extreme dv/dt rate. This SUPERFET manages EMI issues and allows for easy design implementation. Typical applications include automotive PHEV-BEV DC/DC converter and automotive onboard charger for PHEV-BEV. 

SuperFET® III MOSFETs

onsemi SuperFET® III MOSFETs are high voltage Super-Junction (SJ) N-Channel MOSFETs designed to meet the high power density, system efficiency, and exceptional reliability requirements of telecom, server, electric vehicle (EV) charger and solar products. These devices combine best-in-class reliability, low EMI, excellent efficiency, and superior thermal performance to make them an ideal choice for high-performance applications. Complementing their performance characteristics, the broad range of package options offered by onsemi SuperFET III MOSFETs gives product designers high flexibility, particularly with size-constrained designs.