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NVHL025N65S3

Name: onsemi NVHL025N65S3
Brand: onsemi
SKU: 863-NVHL025N65S3
Price: 16.91 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NVHL025N65S3

N° de fab. :

NVHL025N65S3

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET SUPERFET3 650V

Fiche technique:

NVHL025N65S3 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	75 A
Rds On - Résistance drain-source:	25 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	236 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	595 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Nom commercial:	SuperFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	107 ns
Transconductance directe - min.:	78.5 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	109 ns
Série:	SPM3
Nombre de pièces de l'usine:	450
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	120 ns
Délai d'activation standard:	43.3 ns
Poids de l''unité:	6 g

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Fiche technique

NVHL025N65S3 Fiche technique

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

NVHL025N65S3 N-Channel SUPERFET® III

onsemi NVHL025N65S3 N-Channel SUPERFET^® III is an easy-drive, high-voltage Super-Junction (SJ) MOSFET that utilizes charge balance technology. This SUPERFET provides outstanding low ON-resistance and low gate charge performance. The NVHL025N65S3 SUPERFET minimizes conduction loss, offers good switching performance, and withstands extreme dv/dt rate. This SUPERFET manages EMI issues and allows for easy design implementation. Typical applications include automotive PHEV-BEV DC/DC converter and automotive onboard charger for PHEV-BEV.

SuperFET® III MOSFETs

onsemi SuperFET® III MOSFETs are high voltage Super-Junction (SJ) N-Channel MOSFETs designed to meet the high power density, system efficiency, and exceptional reliability requirements of telecom, server, electric vehicle (EV) charger and solar products. These devices combine best-in-class reliability, low EMI, excellent efficiency, and superior thermal performance to make them an ideal choice for high-performance applications. Complementing their performance characteristics, the broad range of package options offered by onsemi SuperFET III MOSFETs gives product designers high flexibility, particularly with size-constrained designs.