RFUH25TB3SNZC9

ROHM Semiconductor
755-RFUH25TB3SNZC9
RFUH25TB3SNZC9

Fab. :

Description :
Redresseurs Super Fast Recovery Diode

Modèle de ECAO:
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En stock: 918

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Délai usine :
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Minimum : 1   Multiples : 1
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-,-- €
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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
2,14 € 2,14 €
1,04 € 10,40 €
0,963 € 96,30 €
0,877 € 438,50 €
0,805 € 805,00 €
0,746 € 1 492,00 €
0,72 € 3 600,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
ROHM Semiconductor
Catégorie du produit: Redresseurs
RoHS:  
Through Hole
TO-220FN-2
350 V
20 A
Super Fast Recovery Diode
Single
1.45 V
100 A
10 uA
30 ns
+ 150 C
Tube
Marque: ROHM Semiconductor
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: KR
Produit: Rectifiers
Type de produit: Rectifiers
Nombre de pièces de l'usine: 1000
Sous-catégorie: Diodes & Rectifiers
Raccourcis pour l'article N°: RFUH25TB3SNZ
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541100000
CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
JPHTS:
854110090
KRHTS:
8541109000
MXHTS:
8541100199
BRHTS:
85411099
ECCN:
EAR99

Diode à récupération ultra-rapide RFUH25TB3SNZ

La diode à récupération ultra-rapide RFUH25TB3SNZ de ROHM Semiconductor dispose d'une perte de commutation ultra-faible et d'une capacité de surcharge de courant élevée. Cette diode de récupération comprend une construction planaire épitaxiale en silicium. La diode de récupération RFUH25TB3SNZ offre une tension inverse de crête répétitive de 350 V, un courant inverse de 10 μA et un courant de surtension directe non répétitif de 100 A. Cette diode de récupération fonctionne à une tension directe maximale de 1,45 V et est stockée sur une plage de température de -55 °C à +150 °C. La diode à récupération ultra-rapide RFUH25TB3SNZ est idéale pour une utilisation dans le redressement général.