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TK095N65Z5,S1F

Name: Toshiba TK095N65Z5,S1F
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK095N65Z5S1F
Price: 5.95 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

757-TK095N65Z5S1F

N° de fab. :

TK095N65Z5,S1F

Fab. :

Toshiba

Description :

MOSFET 650V DTMOS6-HSD TO-247 95mohm

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

TK095N65Z5,S1F Fiche technique (PDF)

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	5,95 €	5,95 €
	4,02 €	40,20 €
	3,37 €	404,40 €
	3,20 €	1 632,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Toshiba
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	29 A
Rds On - Résistance drain-source:	95 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.5 V
Qg - Charge de grille:	50 nC
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	230 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	Toshiba
Configuration:	Single
Temps de descente:	4 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	40 ns
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	95 ns
Délai d'activation standard:	75 ns

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Fiche technique

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Models

Product Catalogs

Selection Guide 2025 - MOSFETs

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET à canal N en silicium (DTMOSVI) TK095N65Z5

Le MOSFET à canal N en silicium (DTMOSVI) TK095N65Z5 de Toshiba est un MOSFET haut débit 650 V, 95 mΩ dans un boîtier TO-247. Conçu pour une utilisation dans les applications de régulateur de tension à commutation, le TK095N65Z5 offre un temps de récupération rapide (115 ns standard) et une faible résistance drain-source à l’état passant (0,079Ω standard). Ce MOSFET offre des propriétés de commutation à haute vitesse avec une faible capacité.

DTMOSVI MOSFETs

Toshiba DTMOSVI MOSFETs offer a low drain-source on-resistance of 0.033Ω (typical), a drain-source voltage of 650V, and a drain current of 57A. The DTMOSVI MOSFETs offer high-speed switching properties with lower capacitance. These MOSFETs are ideal for use in switching power supply applications.