MOSFET de puissance

Les MOSFET de puissance YAGEO XSemi utilisent des techniques de traitement avancées pour une faible résistance de conduction, une grande efficacité et un bon rapport qualité-prix. Les MOSFET de puissance XSemi de YAGEO sont disponibles dans différents boîtiers pour répondre aux besoins d’application. Les paquets disponibles pour l'appareil sont largement utilisés pour les applications commerciales et industrielles.

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Conditionnement
YAGEO XSemi MOSFET N-CH 600V 0.0 53A SOT-23 922En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 600 V 53 mA 72 Ohms - 20 V, 20 V 2.6 V 2.3 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi MOSFET N-CH 60V 2.5A SOT-23S 1 664En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23S-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2.5 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi MOSFET P-CH -60V -1. 6A SOT-23S 954En stock
6 00010/11/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23S-3 P-Channel 1 Channel 60 V 1.6 A 250 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi MOSFET P-CH -30V -3. 9A SOT-23S
2 95527/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23S-3 P-Channel 1 Channel 30 V 3.9 A 55 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 6.5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel