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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V
Fiche technique
5 994En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Si SMD/SMT PG-WHTFN-9 N-Channel 1 Channel 25 V 460 A 12 V 1.7 V 29 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Fiche technique
5 391En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 6 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 348 A 640 uOhms 16 V 2 V 22 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Fiche technique
3 593En stock
12 000Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 6 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 430 A 480 uOhms 12 V 1.7 V 29 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Fiche technique
4 730En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 6 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 298 A 500 uOhms 16 V 2 V 27 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Fiche technique
4 478En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 422 A 500 uOhms 12 V 1.7 V 29 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Fiche technique
4 453En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 406 A 540 uOhms 16 V 2 V 27 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Fiche technique
3 980En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 338 A 680 uOhms 16 V 2 V 22 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Fiche technique
4 716En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 6 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 282 A 800 uOhms 16 V 2 V 17.2 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Fiche technique
3 975En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 275 A 840 uOhms 16 V 2 V 17.2 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V
Fiche technique
6 00007/05/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Si SMD/SMT PG-WHTFN-9 N-Channel 1 Channel 25 V 440 A 460 uOhms 16 V 2 V 27 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement