Transistor GaN de puissance RF Airfast A5G35H120N

Le transistor GaN de puissance RF Airfast A5G35H120N de NXP Semiconductors est un transistor GaN de puissance RF Doherty asymétrique de 18 W. Il est conçu pour les applications de station de base cellulaire nécessitant une très large capacité de bande passante instantanée couvrant la plage de fréquence de 3 300 à 3 700 MHz.