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SIEH4800EW-T1-GE3

Name: Vishay SIEH4800EW-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 78-SIEH4800EW-T1-GE3
Price: 5.13 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

78-SIEH4800EW-T1-GE3

N° de fab. :

SIEH4800EW-T1-GE3

Fab. :

Vishay

Description :

MOSFET N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

SIEH4800EW-T1-GE3 Fiche technique

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	3,57 €	35,70 €
	2,58 €	258,00 €
	2,56 €	1 280,00 €
	2,17 €	6 510,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerPAK-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	80 V
Id - Courant continu de fuite:	34 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.15 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	278 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	3.4 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	Vishay
Temps de descente:	30 ns
Transconductance directe - min.:	150 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	40 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	45 s
Délai d'activation standard:	140 ns

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Fiche technique

SIEH4800EW-T1-GE3 Fiche technique

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET à canal N TrenchFET® Gen IV 80 V SiEH4800EW

Le MOSFET à canal N TrenchFET^®Gen IV 80 V SiEH4800EW de Vishay / Siliconix est conçu pour des applications de commutation d'énergie à haut rendement. Logé dans un boîtier BWL (bond wireless) de 8 mm x 8 mm PowerPAK^®compact, le SiEH4800EW offre une résistance à l'état passant exceptionnellement faible de 0,00115 Ω à une VGS de 10 V, minimisant ainsi les pertes par conduction et améliorant les performances thermiques. Avec un courant de drain continu maximum de 260 A et une faible charge de grille de 117 nC, ce MOSFET Vishay / Siliconix est optimisé pour la commutation rapide et la gestion de courants élevés, ce qui le rend idéal pour une utilisation en redressement synchrone, dans les entraînements à moteur et les convertisseurs CC-CC haute performance. Une conception robuste et une technologie de tranchée avancée assurent une exploitation fiable dans les environnements exigeants.