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SI6423ADQ-T1-GE3

Name: Vishay SI6423ADQ-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SI6423ADQ-T1-GE3
Price: 1.26 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

78-SI6423ADQ-T1-GE3

N° de fab. :

SI6423ADQ-T1-GE3

Fab. :

Vishay / Siliconix

Description :

MOSFET TSSOP8 P-CH 20V 10.3A

Fiche technique:

SI6423ADQ-T1-GE3 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,26 €	1,26 €
	0,791 €	7,91 €
	0,526 €	52,60 €
	0,412 €	206,00 €
	0,375 €	375,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,337 €	1 011,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TSSOP-8
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	20 V
Id - Courant continu de fuite:	12.5 A
Rds On - Résistance drain-source:	9.8 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1 V
Qg - Charge de grille:	112 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	2.2 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	TrenchFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Vishay / Siliconix
Temps de descente:	36 ns
Transconductance directe - min.:	70 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	4 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	TrenchFET Power MOSFET
Délai de désactivation type:	120 ns
Délai d'activation standard:	12 ns
Poids de l''unité:	158 mg

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Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET 20 V à canal P Si6423ADQ

Le MOSFET 20 V à canal P Si6423ADQ Vishay/Siliconix est proposé en boîtier TSSOP-8 avec une tension drain-source de -20 V et une énergie d'avalanche à simple impulsion de 20 mJ. Ce MOSFET dispose d'une conception de configuration unique. Il est sans halogène, conforme à la directive RoHS et testé à 100 % R_g et UIS. Le MOSFET 20 V à canal P Si6423ADQ Vishay est conçu pour les commutateurs de charge, les commutateurs de batterie et les applications de gestion d'alimentation.

MOSFET TrenchFET®

Les MOFSET TrenchFET^® de Vishay / Siliconix sont dotés d'une technologie silicium à canaux P et N permettant à ces composants de fournir d'excellentes spécifications de résistance à l'état passant de 1,9 mΩ dans le PowerPAK^® SO-8. Ces MOSFET ont une résistance à l'état passant pouvant descendre à la moitié du niveau des nouveaux meilleurs dispositifs sur le marché. Les MOSFET à canal N offrent une plage de tension de rupture drain-source de 40 V à 250 V, une dissipation d'énergie nominale de 375 W et une puissance ThunderFET en fonction du modèle. Les MOSFET à canal P disposent de jusqu'à 2 canaux, d'un montage CMS et traversant et d'une plage de tension de rupture drain-source de 12 V à 200 V.