MOSFET U-MOSX-H pour l'automobile

Les MOSFET U-MOSX-H automobiles de Toshiba sont homologués AEC-Q101 avec une faible résistance drain-source à l'état passant. Le U-MOSX-H dispose d'un faible courant de fuite de IDSS = 10 µA (max) (VDS = 100 V). Ces composants sont idéaux pour des applications telles que l'automobile, la tension de commutation, les régulateurs, les convertisseurs CC-CC et les pilotes de moteur. 

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Qualification Conditionnement
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 80 V, 0.0019 O@10V, SOP Advance(E), U-MOS?-H 3 381En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5 000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 80 V 238 A 1.9 mOhms 20 V 3.5 V 108 nC + 175 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101 606En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1 000

Si SMD/SMT TO-220SM-3 N-Channel 1 Channel 100 V 160 A 1.92 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 184 nC + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape