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QPA2212D

Name: Qorvo QPA2212D
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPA2212D
Price: 1239.26 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

772-QPA2212D

N° de fab. :

QPA2212D

Fab. :

Qorvo

Description :

Amplificateur RF 27-31GHz 25W GaN POWER AMP

Fiche technique:

QPA2212D Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Fabricant:	Qorvo
Catégorie du produit:	Amplificateur RF
Restrictions en matière d'expédition :	Il se peut que des documents supplémentaires soient nécessaires pour une exportation depuis les États-Unis.
RoHS:
Fréquence de fonctionnement:	27.5 GHz to 31 GHz
Tension d'alimentation de fonctionnement:	22 V
Courant d'alimentation de fonctionnement:	460 mA
Gain:	21.7 dB
Type:	Power Amplifiers
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	Die
Technologie:	GaN SiC
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 85 C
Série:	QPA2212D
Conditionnement:	Gel Pack
Marque:	Qorvo
Kit de développement:	QPA2212D EVB
Affaiblissement d'équilibrage d'entrée:	29 dB
Pd - Dissipation d’énergie :	80.3 W
Type de produit:	RF Amplifier
Nombre de pièces de l'usine:	10
Sous-catégorie:	Wireless & RF Integrated Circuits

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Fiche technique

QPA2212D Fiche technique (PDF)

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CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
MXHTS:: 8542330299
ECCN:: 3A001.b.2.c

Amplificateur de puissance au GaN pour bande Ka QPA2212D

L’amplificateur de puissance au GaN en bande Ka QPA2212D de Qorvo est fabriqué à l’aide d’un procédé au nitrure de gallium à 0,15 µm sur carbure de silicium (GaN sur SiC). Fonctionnant entre 27 GHz et 31 GHz, le QPA2212D atteint une puissance linéaire de 10 W avec une distorsion d’intermodulation de -25dBc et un gain de signal faible de 22 dB. La puissance de sortie saturée est de 25 W avec un rendement de puissance ajoutée de 25 %.