MOSFET de puissance MDmesh K6 STP80N240K6

Le MOSFET de puissance MDmesh K6 STP80N240K6 de STMicroelectronics est basé sur la technologie ultime MDmesh K6 s’appuyant sur 20 années d’expérience de STM en technologie super-jonction. Le MOSFET de puissance à canal N haute tension offre une charge de grille très basse et un excellent RDS(on) x zone. Le MOSFET de puissance 800 V STP80N240K6 de ST dispose de la meilleure résistance à l’état passant de sa catégorie par surface et charge de grille pour les applications nécessitant une densité de puissance supérieure et une haute efficacité.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
Fiche technique
2 575En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 12 A 340 mOhms - 10 V, 10 V 3 V 17.8 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel


STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package
Fiche technique
75En stock
1 00021/09/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 25.9 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement MDmesh Tube