HMC637BPM5E MMICs

Analog Devices Inc. HMC637BPM5E Monolithic Microwave Integrated Circuits (MMICs) are gallium arsenide (GaAs), pseudomorphic high electron mobility transistors (pHEMT), cascode distributed power amplifiers. Analog Devices MMICs are self-biased in normal operation and feature optional bias control for quiescent current (IDQ) adjustment and the second-order intercept (IP2) and third-order intercept (IP3) optimization. The amplifiers operate from DC to 7.5GHz, providing 15.5dB of small signal gain and 28dBm output power at 1dB gain compression. The devices also feature a typical output IP3 of 39dBm, and a 3.5dB noise figure, while requiring 345mA from a 12V supply voltage (VDD).

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Fréquence de fonctionnement
Tension d'alimentation de fonctionnement
Courant d'alimentation de fonctionnement
Gain
NF : facteur de bruit
Type
Style de montage
Package/Boîte
Technologie
P1dB - Point de compression
OIP3 - Point d'intersection du 3e ordre
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Série
Conditionnement
Analog Devices Amplificateur RF Distributed amp
Fiche technique
121En stock
Min. : 1
Mult. : 1

0 Hz to 7.5 GHz 12 V 345 mA 15.5 dB 3.5 dB Power Amplifiers SMD/SMT LFCSP-32 GaAs 28 dBm 39 dBm - 55 C + 85 C HMC637 Cut Tape
Analog Devices Amplificateur RF Distributed amp
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 10 Semaines
Min. : 500
Mult. : 500
Bobine: 500

0 Hz to 7.5 GHz 12 V 345 mA 15.5 dB 3.5 dB General Purpose Amplifiers SMD/SMT LFCSP-32 GaAs 28 dBm 39 dBm - 55 C + 85 C HMC637 Reel