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FGHL40T65MQDT

Name: onsemi FGHL40T65MQDT
Brand: onsemi
SKU: 863-FGHL40T65MQDT
Price: 4.34 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

863-FGHL40T65MQDT

N° de fab. :

FGHL40T65MQDT

Fab. :

onsemi

Description :

IGBTs FS4 MID SPEED IGBT 650V 4

Fiche technique:

FGHL40T65MQDT Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	4,34 €	4,34 €
	2,29 €	22,90 €
	2,12 €	212,00 €
	1,96 €	882,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-247-3
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	650 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.45 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	60 A
Pd - Dissipation d’énergie :	238 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	FGHL40T65MQDT
Conditionnement:	Tube
Marque:	onsemi
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	450
Sous-catégorie:	IGBTs

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Fiche technique

FGHL40T65MQDT Fiche technique

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IGBT FS4

Les IGBT FS4 d'onsemi constituent une solution puissante et efficace pour une multitude d'applications industrielles et automobiles. La température de jonction maximale du FS4 d'onsemi est de 175 °C. Ces IGBT sont conçus pour résister même aux conditions de fonctionnement les plus extrêmes.

IGBT à effet de champ en tranchée FGHL40T65MQDT

L'IGBT à effet de champ en tranchée FGHL40T65MQDT d'onsemi est une technologie IGBT de moyenne vitesse de 4^e génération co-emballée avec une diode de courant nominal complète. Ses caractéristiques incluent une commutation fluide et optimisée, une capacité de courant élevée et une distribution étroite des paramètres. Cet IGBT fonctionne à une température de jonction maximale de 175 °C. Les applications comprennent les onduleurs solaires, les ASI, les ESS, les PFC et les convertisseurs.