MOSFET NxT2023N065M3S EliteSiC

Les MOSFET NxT2023N065M3S EliteSiC d’onsemi sont des MOSFET au carbure de silicium (SiC) de 650 V à haute performance, avec une R_DS(on) standard de 23 mΩ et d’excellentes caractéristiques thermiques et de commutation. Ces MOSFET présentent une faible capacité de sortie effective, une haute efficacité, une commutation rapide et une charge de grille ultra-faible. Les MOSFET NxT2023N065M3S prennent en charge des courants de drain continu jusqu’à 72 A et fonctionnent sur une large plage de température allant de -55 °C à 175 °C. Ces MOSFET sont conformes à la directive RoHS, sans halogène et logés dans un boîtier compact T2PAK-7L. Le MOSFET EliteSiC NVT2023N065M3S est homologué AEC-Q101 ce qui le rend idéal pour les applications de qualité automobile telles que les chargeurs embarqués et les convertisseurs CC-CC dans les plateformes VE/VEH. Le MOSFET EliteSiC NTT2023N065M3S convient pour les SMPS, les convertisseurs de tension solaire, les ASI, le stockage d'énergie et l'infrastructure de chargement des véhicules électriques.