MOSFET de puissance à canal N R60/R65

Les MOSFET de puissance à canal N R60/R65 de ROHM Semiconductor fournissent une sortie mono-canal avec une tension drain-source 600 V ou 650 V dans des boîtiers TO-220FM-3/SOT-223-3. Les MOSFET R60/R65 ont une température de fonctionnement de -55 °C à 150 °C/155 °C et des options de dissipation de puissance de 7,8 W, 6,6 W, 12,3 W 9,1 W, 40 W, 46 W, 48 W, 53 W, 68 W, 74 W ou 86 W. Les MOSFET de puissance à canal N R60/R65 sont idéaux pour les applications de commutation.

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 600V 7A N-CH MOSFET
Fiche technique
4 998En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 620 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 600V 30A N-CH MOSFET
Fiche technique
2 933En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 56 nC - 55 C + 150 C 86 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 20A N-CH MOSFET
Fiche technique
710En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 205 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 61 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 30A N-CH MOSFET
Fiche technique
1 980En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 140 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 90 nC - 55 C + 150 C 86 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 30A N-CH MOSFET
Fiche technique
1 219En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 140 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 56 nC - 55 C + 150 C 86 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET 600V 10A TO-252, High-speed switching Power MOSFET
Fiche technique
2 441En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 390 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 15 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET 600V 38A TO-220AB, High-speed switching Power MOSFET
Fiche technique
996En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38 A 96 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 50 nC - 55 C + 150 C 348 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET 600V 18A TO-220FM, High-speed switching Power MOSFET
Fiche technique
990En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 96 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 50 nC - 55 C + 150 C 81 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET 600V 38A TO-247, High-speed switching Power MOSFET
Fiche technique
898En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38 A 96 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 50 nC - 55 C + 150 C Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET 650V 1.7A TO-252, Low-noise Power MOSFET
Fiche technique
3 477En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 650 V 1.7 A 4 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 6.5 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET 600V 10A TO-220AB, High-speed switching Power MOSFET
Fiche technique
965En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 390 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 15 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET 600V 7A TO-220FM, High-speed switching Power MOSFET
Fiche technique
996En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 390 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 15 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 2A 3rd Gen, Fast Recover
Fiche technique
6 832En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 4 000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 600 V 1 A 3.25 Ohms - 30 V, 30 V 7 V 7 nC - 55 C + 150 C 6.6 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 3A 3rd Gen, Fast Recover
Fiche technique
7 443En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 4 000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 600 V 1.3 A 2.15 Ohms - 20 V, 20 V 7 V 8 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 3A 3rd Gen, Fast Switch
Fiche technique
7 862En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 4 000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 600 V 1.3 A 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 5.5 V 8 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 4A 3rd Gen, Low Noise
Fiche technique
7 383En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 4 000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 600 V 2.4 A 980 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 15 nC - 55 C + 150 C 9.1 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 6A 3rd Gen, Fast Switch
Fiche technique
7 675En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 4 000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 600 V 2.8 A 870 mOhms - 20 V, 20 V 5.5 V 12 nC - 55 C + 150 C 12.3 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET TO252 650V 42A N-CH MOSFET
Fiche technique
4 966En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 600 V 42 A 260 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 20 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 60A N-CH MOSFET
Fiche technique
996En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 60 A 185 mOhms - 20 V, 20 V 6 V 28 nC - 55 C + 150 C 182 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Nch 600V 22A, TO-220AB, Power MOSFET: R6022YNX3 is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
Fiche technique
1 969En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 66 A 165 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 33 nC - 55 C + 150 C 205 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 66A N-CH MOSFET
Fiche technique
994En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 66 A 165 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 33 nC - 55 C + 150 C 65 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO247 650V 66A N-CH MOSFET
Fiche technique
581En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247G-3 N-Channel 1 Channel 600 V 66 A 165 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 33 nC - 55 C + 150 C 205 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Nch 600V 27A, TO-220AB, Power MOSFET: R6027YNX3 is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
Fiche technique
1 951En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 81 A 135 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 40 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Nch 600V 14A, TO-220FM, Power MOSFET: R6027YNX is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
Fiche technique
1 988En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 81 A 135 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 40 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO247 650V 183A N-CH MOSFET
Fiche technique
594En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 183 A 60 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 76 nC - 55 C + 150 C 568 W Enhancement Tube