MOSFET de puissance à canal N R60/R65

Les MOSFET de puissance à canal N R60/R65 de ROHM Semiconductor fournissent une sortie mono-canal avec une tension drain-source 600 V ou 650 V dans des boîtiers TO-220FM-3/SOT-223-3. Les MOSFET R60/R65 ont une température de fonctionnement de -55 °C à 150 °C/155 °C et des options de dissipation de puissance de 7,8 W, 6,6 W, 12,3 W 9,1 W, 40 W, 46 W, 48 W, 53 W, 68 W, 74 W ou 86 W. Les MOSFET de puissance à canal N R60/R65 sont idéaux pour les applications de commutation.

Résultats: 56
Sélectionner Image Référence
 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement
ROHM Semiconductor MOSFET TO247 650V 258A N-CH MOSFET
Fiche technique
553En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247G-3 N-Channel 1 Channel 600 V 258 A 44 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 110 nC - 55 C + 150 C 781 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Nch 600V 33A, TO-3PF, Power MOSFET: R6086YNZ is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
Fiche technique
600En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 600 V 33 A 44 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 110 nC + 150 C 114 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO252 600V 7A N-CH MOSFET
Fiche technique
5 000En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 620 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET TO252 600V 9A N-CH MOSFET
Fiche technique
4 949En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 535 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 94 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET TO247 650V 60A N-CH MOSFET
Fiche technique
60022/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 60 A 185 mOhms - 20 V, 20 V 6 V 28 nC - 55 C + 150 C 182 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 11A N-CH MOSFET
Fiche technique
Délai de livraison 18 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 400 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 32 nC - 55 C + 150 C 53 W Enhancement Tube