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MOSFET à tranchée et canal N NX6008NBK
Les MOSFET à tranchée et canal N NX6008NBK de Nexperia sont conçus pour une commutation rapide et se caractérisent par une faible tension de seuil. Ces MOSFET fonctionnent à une tension drain-source (VDS) de 60 V, une tension grille-source maximale de 8 V (VGS) et une plage de température de jonction (TJ) de -55 °C à 150 °C. Les MOSFET NX6008NBK sont utilisés dans des applications telles que les pilotes de relais, les pilotes de ligne à haut débit, les commutateurs de charge côté bas et les circuits de commutation.