W957D8MFYA5I TR

Winbond
454-W957D8MFYA5ITR
W957D8MFYA5I TR

Fab. :

Description :
DRAM 128Mb HyperRAM x8, 200MHz, Ind temp, 1.8V, T&R

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Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Winbond
Catégorie du produit: DRAM
RoHS:  
HyperRAM
128 Mbit
8 bit
200 MHz
TFBGA-24
16 M x 8
1.7 V
2 V
- 40 C
+ 85 C
Reel
Cut Tape
Marque: Winbond
Sensibles à l’humidité: Yes
Style de montage: SMD/SMT
Type de produit: DRAM
Nombre de pièces de l'usine: 2000
Sous-catégorie: Memory & Data Storage
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Attributs sélectionnés: 0

Codes de conformité
CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320002
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Taïwan
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Low Power HYPERRAM®

Winbond Low Power HYPERRAMs® are mobile DRAM with a high-speed SDRAM device internally configured as an 8-bank memory and uses a Double Data Rate (DDR) architecture on the Command/Address (CA) bus. This HYPERRAM features low pin count, low power consumption, and easy control to improve the performance of end devices. These IoT edge devices and human-machine interface devices require functionality in size, power consumption, and performance. These HYPERRAM memory devices provide technical solutions and address the rapid rise of IoT edge devices and human-machine interface devices. These HYPERRAMs offer 45mW power at 1.8V in hybrid sleep mode, significantly different from the standby mode of SDRAM. The HYPERRAM supports the HyperBus interface and is a solution to address the rapid rise of automotive electronics, industrial 4.0, and smart home applications.