NTMFSC006N12MC

onsemi
863-NTMFSC006N12MC
NTMFSC006N12MC

Fab. :

Description :
MOSFET 120V PTNG IN 5X6 DUALCOOL

Modèle de ECAO:
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En stock: 2 411

Stock:
2 411 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
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Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
2,80 € 2,80 €
1,82 € 18,20 €
1,26 € 126,00 €
1,08 € 540,00 €
1,03 € 1 030,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
1,01 € 3 030,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
onsemi
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DFN-8
N-Channel
2 Channel
120 V
92 A
6.1 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
48 nC
+ 150 C
104 W
Enhancement
PowerTrench
Reel
Cut Tape
Marque: onsemi
Configuration: Single
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: PH
Temps de descente: 5.7 ns
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 5.3 ns
Série: NTMFSC006N12MC
Nombre de pièces de l'usine: 3000
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 2 N-Channel
Délai de désactivation type: 25.5 ns
Délai d'activation standard: 15.2 ns
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MOSFET de puissance à canal N Dual Cool NTMFSC006N

Le MOSFET de puissance à canal N NTMFSC006N Dual Cool™ Onsemi dispose du procédé power Trench® dans un emballage refroidi des deux côtés. Ce MOSFET de puissance dispose d'un RDS(ON) ultra-faible, d'une tension drain-à-source de 120 V, d'une tension grille-source de ±20 V, d'un courant de drain pulsé de 1 459 A et d'une jonction d'exploitation/température de stockage de 150 °C au maximum. Le MOSFET de puissance à canal N Dual Cool™ NTMFSC006N est testé à 100 % pour UIL et conforme à la directive RoHS. Les applications typiques incluent le marché des alimentations CA-CC, le FET CC-CC primaire, le redresseur synchrone et la conversion CC-CC.