IGBT AEC-Q101 RGS30TSX2DHR et RGS30TSX2HR
IGBT à tranchée et arrêt de champ AEC-Q101 RGS30TSX2DHR et RGS30TSX2HR de ROHM Semiconductor sont des transistors bipolaires à grille isolée 10 µs SCSOA (zone de fonctionnement de sécurité contre les courts-circuits), adaptés à une utilisation générale du convertisseur dans les applications automobiles et industrielles. Les RGS30TSX2DHR et RGS30TSX2HR offrent une faible perte de conduction qui contribue à réduire la taille et à améliorer le rendement. Ces composants utilisent les technologies de grille en tranchée et de couche mince d'origine. Ces technologies aident à atteindre une faible tension de saturation collecteur-émetteur (VCE(sat)) avec des pertes de commutation réduites. Ces IGBT fournissent des économies d'énergie accrues dans une variété d'applications à courant élevé et haute tension.
