MOSFET au carbure de silicium (SiC) 650 V

Les MOSFETs 650 V au carbure de silicium (SiC) d'onsemi offrent des performances de commutation supérieures et une plus grande fiabilité par rapport au silicium (Si). Ces MOSFET SiC 650 V ont une faible résistance à l'état passant et une taille de puce compacte pour garantir une faible capacité et une faible charge de grille. Ils présentent les avantages suivants : rendement élevé, fréquence de fonctionnement rapide, densité de puissance accrue, réduction des EMI et réduction de la taille du système.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
onsemi SiC MOSFET SIC MOS TOLL 650V
Fiche technique
1 374En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 000

SMD/SMT PSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 73 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
Fiche technique
212En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 142 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
Fiche technique
444En stock
Min. : 1
Mult. : 1

TO-247-4 EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V
Fiche technique
457En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 145 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement EliteSiC