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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Qualification Nom commercial Conditionnement
Toshiba MOSFET 40W 1MHz Automotive; AEC-Q101 1 682En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 15 A 13.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 10 nC - 55 C + 175 C 40 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 20A 40V 38W 820pF 0.014 Non stocké
Min. : 2 000
Mult. : 2 000
Bobine: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 20 A 14 mOhms 38 W U-MOSIV Reel