Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Retourner aux résultats de la recherche

Vous voyez une erreur ?

CDM22011-600LRFP SL PBFREE

Name: Central Semiconductor CDM22011-600LRFP SL PBFREE
Brand: Central Semiconductor
SKU: 610-CDM22011600LRFPS
Price: 2.64 EUR
Availability: InStock

N° Mouser :

610-CDM22011600LRFPS

N° de fab. :

CDM22011-600LRFP SL PBFREE

Fab. :

Central Semiconductor

Description :

MOSFET N-Ch 11A PFC FET 600V 4.45nC 0.3Ohm

Cycle de vie:

Commande spéciale d''usine:

Obtenez un devis afin de vérifier la tarification actuelle, le délai de disponibilité et les exigences de commande du fabricant.

Fiche technique:

CDM22011-600LRFP SL PBFREE Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de Central Semiconductor CDM22011-600LRFP SL PBFREE

En stock: 353

Stock:: 353 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.

Les quantités supérieures à 353 seront soumises à des commandes minimales.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	2,64 €	2,64 €
	1,32 €	13,20 €
	1,18 €	118,00 €
	0,955 €	477,50 €
	0,929 €	929,00 €
	0,903 €	2 257,50 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Central Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	11 A
Rds On - Résistance drain-source:	300 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	23.05 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	25 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	UltraMOS
Conditionnement:	Tube
Marque:	Central Semiconductor
Configuration:	Single
Type de produit:	MOSFETs
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	2 g

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

CDM22011-600LRFP SL PBFREE Fiche technique

RoHS Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

CxxDM Surface-Mount Enhancement-Mode MOSFETs

Central Semiconductor CxxDM Surface-Mount Enhancement-Mode MOSFETs are designed for high-speed pulsed amplifier and driver applications. These MOSFETs offer a very low R_DS(ON) and low threshold voltage.

MOSFET de puissance à canal N en silicium CDMxx

Central Semiconductor CDMxx Silicon N-Channel Power MOSFETs are designed for high voltage, fast switching applications like Power Factor Correction (PFC), lighting and power inverters. These MOSFETs combine high voltage capability with low r_DS(ON), low threshold voltage, and low gate charge for optimal efficiency.
Learn More