MOSFET à canal N au silicium SSM6K51xNU

Les MOSFET à canal N au silicium SSM6K51xNU de Toshiba font partie du vaste portefeuille de MOSFET de Toshiba dans diverses configurations de circuit et boîtiers. Ces composants disposent d'une haute vitesse, de hautes performances, d'une faible perte, d'une faible résistance à l'état passant, d'un petit boîtier et bien plus. Les SSM6K51xNU sont idéaux pour les commutateurs de gestion de l'alimentation et disposent d'une commutation à haute vitesse. Ils ont un pilote de 1,5 V avec une faible résistance drain-source à l'état passant.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement

Toshiba MOSFET UDFN6B N-CH 30V 6A
Fiche technique
5 276En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT UDFN-6B N-Channel 1 Channel 30 V 6 A 46 mOhms - 12 V, 20 V 2.5 V 2.5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba MOSFET UDFN6B N-CH 30V 6A
Fiche technique
3 702En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT UDFN-6B N-Channel 1 Channel 30 V 6 A 39.1 mOhms - 8 V, 12 V 1 V 3.2 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba MOSFET 30V/20V Nch single MOSFET Id: 6A Rdson: 40mOhm @ 1.8V
Fiche technique
4 165En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT UDFN-6B N-Channel 1 Channel 20 V 6 A 108 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 3.6 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel